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       對(duì)于痕量檢測(cè)，你了解多少？痕量檢測(cè)（trace analysis），是一種對(duì)樣品中待測(cè)組分含量低于百萬分之一的分析方法。適合進(jìn)行痕量檢測(cè)的儀器都有哪些？

       目前，用于痕量物質(zhì)檢測(cè)的儀器主要有原子吸收分析儀（AAS）、石墨爐原子吸收分析儀（GF-AAS）、電感耦合高頻等離子體發(fā)射光譜儀（ICP-AES）、電感耦合高頻等離子質(zhì)譜儀（ ICP-MS）、波長色散（WDXRF）和能量色散（EDXRF）X射線熒光光譜分析儀?？勺龊哿繖z測(cè)的以上幾種儀器，在分析痕量物質(zhì)時(shí)也有各自的優(yōu)勢(shì)，一般單位會(huì)根據(jù)自己需求進(jìn)行選擇。

       AAS分析儀使用成本低，對(duì)專業(yè)技術(shù)要求低，光譜干擾少。但人工調(diào)試項(xiàng)目多，當(dāng)基體成分復(fù)雜時(shí)，測(cè)試精度低。GF-AAS分析儀常規(guī)工作可無人自動(dòng)操作，光譜干擾少，基體干擾多，樣品需能完全氣化。ICP-AES分析能力強(qiáng)，溶液分析精度高，基體干擾少，可測(cè)元素多，但該儀器只能檢測(cè)溶液。ICP-MS儀測(cè)試精度高，分析能力較前者更強(qiáng)，能進(jìn)行同位素分析，樣品也需制成溶液。ICP儀都能進(jìn)行半定量分析，但當(dāng)測(cè)試高濃度物質(zhì)時(shí)需稀釋溶液，再折算到原樣品濃度的含量，ICP的測(cè)試誤差被同時(shí)放大，這大大降低了測(cè)試精度。但對(duì)于工廠的大規(guī)模生產(chǎn)而言，以上這些儀器因?yàn)橹茦又芷陂L，并不適合。

X熒光光譜儀與ICP光譜儀

       WDXRF 和EDXRF儀測(cè)試精度較ICP低一些，分析能力較ICP強(qiáng)一些，但它可直接對(duì)塊狀、液體、粉末樣品進(jìn)行測(cè)試，亦可對(duì)小區(qū)域進(jìn)行分析，還可分析鍍層和薄膜，樣品制備簡單，分析時(shí)間短，分析精度能滿足工廠生產(chǎn)的需要，很合適工廠大規(guī)模生產(chǎn)。它的弱點(diǎn)是存在光譜干擾，特別是樣品中同時(shí)存在光譜干擾的幾個(gè)元素時(shí)，XRF就很難辯別這幾個(gè)元素。